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  • 大功率mos參數(shù)型號(hào)表與開(kāi)關(guān)電路特性分析
    • 發(fā)布時(shí)間:2019-08-17 15:33:39
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    大功率mos參數(shù)表
    功率mos
    文中列出了烜芯微半導(dǎo)體大功率mos參數(shù)表,請(qǐng)查看下表。先了解一下功率mos,功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的的放大電路。因此,要求同時(shí)輸出較大的電壓和電流。管子工作在接近極限狀態(tài)。一般直接驅(qū)動(dòng)負(fù)載,帶載能力要強(qiáng)。
    功率MOSFET是較常使用的一類(lèi)功率器件。是“金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(PowerMOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安),用于功率輸出級(jí)的器件。功率MOSFET可分為增強(qiáng)型和耗盡型,按溝道分又可分為N溝道型和P溝道型。
    大功率mos參數(shù)表
    大功率mos參數(shù)表
    烜芯半導(dǎo)體大功率mos參數(shù)表如下:

    Part Number

    IDA

    BVDSSv

    Typical

    RDS(ON)@60%

    ID(Ω)

    MAX

    RDS(ON)@60%

    ID(Ω)

    ciss

    pF

    4360A

    4

    600

    1.9

    2.3

    511

    5N60E

    4.5

    600

    2

    2.5

    780

    4660A

    7

    600

    1

    1.25

    1120

    5N50H

    5

    500

    1.25

    1.5

    525

    840S

    8

    500

    0.7

    0.9

    960

    4750S

    9

    500

    0.7

    0.9

    960

    4850A

    9

    500

    0.7

    0.9

    960

    6450A

    13

    500

    0.4

    0.48

    2149

    6650A

    15

    500

    0.33

    0.45

    2148

    18N50H

    18

    500

    0.25

    0.32

    2500

    20N50H

    20

    500

    0.21

    0.26

    2700

    24N50H

    24

    500

    0.16

    0.2

    3500

    7650A

    25

    500

    0.17

    0.21

    4280

    8150A

    30

    500

    0.15

    0.2

    4150

    10N80H

    10

    800

    0.85

    1.1

    2230

    4760A

    8

    600

    0.85

    1.1

    1250

    10N60H

    9.5

    600

    0.6

    0.73

    1570

    12N60H

    12

    600

    0.53

    0.65

    1850

    7160A

    20

    600

    0.35

    0.45

    2800

    4365A

    4

    650

    2

    2.5

    523

    7N65H

    7

    650

    1.2

    1.4

    1000

    4665B

    7

    650

    1.1

    1.4

    1048

    4665A

    7.5

    650

    1.1

    1.4

    970

    10N65H

    10

    650

    0.65

    0.75

    1650

    6165A

    10

    650

    0.6

    0.9

    1554

    12N65H

    12

    650

    0.63

    0.75

    1850

    6N70H

    5.8

    700

    1.8

    2.3

    650

    7N80H

    7

    800

    1.4

    1.9

    1300

    9N90S

    9

    900

    1.05

    1.4

    2780

    42150A

    2.8

    1500

    6.5

    9

    1500

    大功率MOS管開(kāi)關(guān)電路
    實(shí)例應(yīng)用電路分析
    1、 三星等離子V2屏開(kāi)關(guān)電源PFC部分激勵(lì)電路分析;
    如下圖1所示是三星V2屏開(kāi)關(guān)電源,PFC電源部分電原理圖,圖2所示是其等效電路框圖。
    大功率mos參數(shù)表
    圖1
    大功率mos參數(shù)表
    圖2
    圖1所示;是三星V2屏等離子開(kāi)關(guān)電源的PFC激勵(lì)部分。從圖中可以看出;這是一個(gè)并聯(lián)開(kāi)關(guān)電源L1是儲(chǔ)能電感,D10是這個(gè)開(kāi)關(guān)電源的整流二極管,Q1、Q2是開(kāi)關(guān)管,為了保證PFC開(kāi)關(guān)電源有足夠的功率輸出,采用了兩只MOS管Q1、Q2并聯(lián)應(yīng)用(圖2所示;是該并聯(lián)開(kāi)關(guān)電源等效電路圖,圖中可以看出該并聯(lián)開(kāi)關(guān)電源是加在整流橋堆和濾波電容C5之間的),圖中Q3、Q4是灌流激勵(lì)管,Q3、Q4的基極輸入開(kāi)關(guān)激勵(lì)信號(hào), VCC-S-R是Q3、Q4的VCC供電(22.5V)。
    兩只開(kāi)關(guān)管Q1、Q2的柵極分別有各自的充電限流電阻和放電二極管,R16是Q2的在激烈信號(hào)為正半周時(shí)的對(duì)Q2柵極等效電容充電的限流電阻,D7是Q2在激烈信號(hào)為負(fù)半周時(shí)的Q2柵極等效電容放電的放電二極管,同樣R14、D6則是Q1的充電限流電阻和放電的放電二極管。R17和R18是Q1和Q2的關(guān)機(jī)柵極電荷泄放電阻。D9是開(kāi)機(jī)瞬間浪涌電流分流二極管。
    大功率MOS管特性
    上述大功率MOS管工作原理中可以看出,MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的,由于Sio2絕緣層的存在,在柵極G和源極S之間等效是一個(gè)電容存在,電壓VGS產(chǎn)生電場(chǎng)從而導(dǎo)致源極-漏極電流的產(chǎn)生。此時(shí)的柵極電壓VGS決定了漏極電流的大小,控制柵極電壓VGS的大小就可以控制漏極電流ID的大小。這就可以得出如下結(jié)論:
    1) MOS管是一個(gè)由改變電壓來(lái)控制電流的器件,所以是電壓器件。
    2) MOS管道輸入特性為容性特性,所以輸入阻抗極高。
    烜芯微專(zhuān)業(yè)制造二三極管,MOS管,20年,工廠直銷(xiāo)省20%,1500家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用,專(zhuān)業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點(diǎn)擊右邊的工程師,或者點(diǎn)擊銷(xiāo)售經(jīng)理給您精準(zhǔn)的報(bào)價(jià)以及產(chǎn)品介紹
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