場(chǎng)效應(yīng)管極是如何區(qū)分的
1.判斷柵極G
MOS驅(qū)動(dòng)器主要起波形整形和加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)的作用:假如MOS管的G信號(hào)波形不夠陡峭，在點(diǎn)評(píng)切換階段會(huì)造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉(zhuǎn)換效率，MOS管發(fā)燒嚴(yán)峻，易熱損壞MOS管GS間存在一定電容，假如G信號(hào)驅(qū)動(dòng)能力不夠，將嚴(yán)峻影響波形跳變的時(shí)間.
將G-S極短路，選擇萬(wàn)用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無(wú)限大，并且交換表筆后仍為無(wú)限大，則證實(shí)此腳為G極，由于它和另外兩個(gè)管腳是絕緣的。
2.判斷源極S、漏極D
將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔分別丈量三個(gè)管腳之間的電阻。用交換表筆法測(cè)兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時(shí)黑表筆的是S極，紅表筆接D極。因?yàn)闇y(cè)試前提不同，測(cè)出的RDS（on）值比手冊(cè)中給出的典型值要高一些。
3.丈量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）
在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié)，因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異，可識(shí)別S極與D極。例如用500型萬(wàn)用表R×1檔實(shí)測(cè)一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W,大于0.58W（典型值）。
場(chǎng)效應(yīng)結(jié)構(gòu)及原理
1、場(chǎng)效應(yīng)管（FET）以其高輸入電阻、低噪、熱穩(wěn)定、便于集成的優(yōu)點(diǎn)在電子電路以及大電流、大電壓電路中應(yīng)用十分普遍；正確使用、判別場(chǎng)效應(yīng)管的管腳、極性十分必要；
2、同三極管一樣，要熟練判別場(chǎng)效應(yīng)管的管腳、極性必須先了解一下其結(jié)構(gòu)、原理；
3、場(chǎng)效應(yīng)管的管腳有柵極G、漏極D、源極S三個(gè)電極（雙柵極管具有四個(gè)電極）；
4、場(chǎng)效應(yīng)管按結(jié)構(gòu)分結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS），絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管又分增強(qiáng)型和耗盡型；結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的“結(jié)”指的是pn結(jié)，絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的絕緣柵指的是柵極與源極、漏極之間有一層sio2絕緣層，它們之間沒(méi)有導(dǎo)通連接關(guān)系。
5、按導(dǎo)電溝道性質(zhì)，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管又分電子型（n）溝道、空穴型（p）溝道，這是場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)電的通道；
6、場(chǎng)效應(yīng)管屬于單極性晶體管，三極管屬于雙極性晶體管，也即前者僅僅由一種載流子導(dǎo)電，后者是由兩種載流子導(dǎo)電；
7、場(chǎng)效應(yīng)管屬于壓控型晶體管，通過(guò)柵極與源極之間的電壓的變化，來(lái)改變溝道的導(dǎo)電能力；三極管屬于電流控制型晶體管，通過(guò)電流的變化改變集電極電流大小。
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)
1.漏極D和源極S之間的半導(dǎo)體類型是相同的，也即同是p型或n型半導(dǎo)體，它們之間的正反向電阻是相等的，并且阻值比較小；
2.柵極G連接半導(dǎo)體類型與漏極D、源極S連接的半導(dǎo)體類型總是不同的；
3.柵極G與漏極、源極之間有pn結(jié)，pn結(jié)的正向電阻小，反向電阻大；結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管工作原理：在柵極與源極上加上反向電壓后，pn結(jié)厚度會(huì)發(fā)生變化，從而改變了導(dǎo)電溝道的導(dǎo)電能力；
絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)
（一）增強(qiáng)型MOS管從結(jié)構(gòu)上看
1.柵極G與漏極D、源極S之間相絕緣，它們之間的電阻無(wú)限大；
2.沒(méi)有外加電壓時(shí)漏極與源極之間不導(dǎo)通；增強(qiáng)型NMOS管是以P型硅片作為基片（又稱襯底），漏極連接的為N半導(dǎo)體，襯底與源極連在一起，故P型襯底與漏極N型半導(dǎo)體會(huì)形成二極管，稱為寄生二極管；因此漏極和源極之間的反向電阻很小。
增強(qiáng)型MOS管工作原理：在柵極與源極之間加上正向電壓后，達(dá)到一定值后就會(huì)形成導(dǎo)電溝道，改變電壓就改變了導(dǎo)電溝道的寬度和導(dǎo)電能力；
（二）耗盡型MOS管從結(jié)構(gòu)上看
1.柵極與漏極、源極絕緣，它們之間的電阻無(wú)限大；
2.漏極與源極之間能夠?qū)?，溝道在制造時(shí)就已形成；在柵極與源極之間加上反向向電壓后，改變電壓就改變了導(dǎo)電溝道的寬度和導(dǎo)電能力；
場(chǎng)效應(yīng)管極的檢測(cè)方法
一、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的漏極和源極在制造工藝上是對(duì)稱的，故兩極可以互換，不影響正常工作；只需要判別柵極和溝道類型將萬(wàn)用表?yè)苤罵×100Ω檔，測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管任意兩個(gè)極之間的電阻，正反各一次，有以下幾種情況：
1.若兩次測(cè)的的阻值相同或相近，則這兩極是漏極D、源極S，剩下的就是柵極；然后紅筆不動(dòng)，黑筆接觸柵極，若阻值較大則測(cè)得的為pn節(jié)反向電阻，黑筆接的是n，紅筆接的是p，所以該管子為p溝道,反之就是n溝道；
2.若兩次測(cè)得的是一大一小，表明其中一個(gè)就是柵極，另一個(gè)就是漏極或源極。以阻值小的那一次為準(zhǔn)，紅筆不動(dòng)，黑筆接另一個(gè)極，如果阻值小，并且與黑筆換極前測(cè)得的阻值相等或相近，則紅筆接的是柵極，且該管子為p溝道；如果測(cè)得的阻值與黑筆換極前測(cè)得的阻值有較大差距，則黑筆換極前接的是柵極，該管子為n溝道場(chǎng)效應(yīng)管；或者直接任意測(cè)量?jī)蓸O之間的正反向電阻，遇到第一種情況，即可判別柵極，這種比較簡(jiǎn)單。有興趣的朋友可以試測(cè)一下3DJ6結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，該管子為電子型導(dǎo)電溝道。
二、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管
NMOS增強(qiáng)型管‘
1.電極檢測(cè)
正常的增強(qiáng)型NMOS管的柵極與漏極、源極之間均無(wú)法導(dǎo)通，它們的正反向電阻均無(wú)窮大，在G極無(wú)電壓時(shí)，DS之間無(wú)溝道形成，但由于漏極源極之間存在一個(gè)反向寄生二極管，故漏極源極之間的反向電阻較?。贿x擇R×1kΩ，測(cè)量各腳之間的正反向電阻；當(dāng)出現(xiàn)一次阻值較小時(shí)，紅筆接的是漏極，黑筆接的是源極，余下的引腳就是柵極。
NMOS耗盡型管
基本過(guò)程同上，源極、漏極能夠?qū)?，但由于反向寄生二極管的存在，兩次的電阻是有差異的。
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