不同型號的MOS管由于結(jié)構(gòu)，制程，工藝的不同，其開啟電壓也是不同的，如下圖所示，有些開啟電壓1.5V即可，有些則要4.5V，那么我們在驅(qū)動對應(yīng)的MOS時，驅(qū)動電壓越高越好?還是說只要大于開啟電壓就行呢?接下來我們就這些問題講解一下。

不同型號MOS管開啟電壓

MOS管驅(qū)動電壓越高越好嗎?

MOS管驅(qū)動電壓是不是越高越好這個問題要分兩方面來闡述，首先驅(qū)動電壓低，意味著我們在開關(guān)MOS時產(chǎn)生的開關(guān)損耗比較小，特別是在一些高頻應(yīng)用中。但是另一方面，在一些使用MOS進行大電流開關(guān)應(yīng)用的場合中，由于電流比較大，此時MOS由于Rds導(dǎo)通內(nèi)阻的存在，會導(dǎo)致MOS發(fā)熱比較嚴重，為了減小MOS管的發(fā)熱，我們一般通過提高Gate驅(qū)動電壓來降低MOS管的Rds導(dǎo)通內(nèi)阻，從而降低發(fā)熱。我們都知道MOS管由于GS,GD寄生電容的存在導(dǎo)致MOS管存在一個平臺電壓，所以驅(qū)動電壓至少應(yīng)大于平臺電壓，使得MOS管工作在飽和區(qū)。

MOS管導(dǎo)通內(nèi)阻和Vgs關(guān)系曲線

一般來說驅(qū)動IC內(nèi)部一般會集成自舉電路輸出一個較高的驅(qū)動電壓，所以更高的驅(qū)動電壓，更強的驅(qū)動能力往往意味著成本的上升，所以綜合MOS管溫升，成本，開關(guān)損耗等因素來決定你得驅(qū)動電壓才是合理的。

另外一方面我們在進行MOS的驅(qū)動IC選型時，也要注意驅(qū)動IC的Gate關(guān)閉電壓，因為有些IC的Gate關(guān)閉電壓并不為0，比如下面例子中在worse case情況下甚至達到了1.5V，雖然這種情況比較少見，但是一旦大規(guī)模量產(chǎn)，總會出現(xiàn)的，這樣當(dāng)我們的MOS開啟電壓超過1V時，采用這個驅(qū)動IC可能存在MOS無法正常關(guān)斷的情況，這是很危險的。因為一旦你得MOS無法正常關(guān)斷，在輸出負載短路時，MOS可能會由于溫升過大直接燒毀了。

總結(jié)

所以總結(jié)來說，我們在關(guān)注MOS管驅(qū)動電路驅(qū)動電壓時既要關(guān)注MOS管的開啟電壓，也要關(guān)注驅(qū)動IC的Gate關(guān)閉電壓，同時還要考慮大電流應(yīng)用場合中的Rds導(dǎo)通內(nèi)阻導(dǎo)致的MOS管發(fā)熱問題，當(dāng)然成本考慮也是必不可少的。